计算中的离子势用赝势表示
更新日期:2022-01-21     浏览次数:173
核心提示:2 计算方法与模型本文的计算采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理,利用VASP(Vienna Ab-initio Simulation Package)软件包完成。计算中的离子势用

2 计算方法与模型

本文的计算采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理,利用VASP(Vienna Ab-initio Simulation Package)软件包完成。计算中的离子势用赝势表示,电子间的交换关联能由广义梯度近似(GGA)下的PBE泛函描述,在计算中不考虑自旋的影响。平面波截断能ENCUT选择520eV;布里渊区K点设置为3×3×3。计算时先构建结构模型,然后让原子弛豫,使其处于能量最低的稳定状态,从而得到优化后的晶体结构。在此基础上对其形成能、能带结构、态密度进行计算分析。参与计算的电子组态分别为:Ti(3d24s2)、O(2s22p4)、Sc(3d14s2)。所有的计算都在倒格矢空间进行。

2021-05-13• Fe和N掺杂NaTaO3电子结构和光学性质的第一性原
摘要采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,运用Materials Studio 8.0软件中的CASTEP模块,计算纯NaTaO3体系、N、Fe单掺NaTaO3体系及Fe-N共掺杂NaT...