2. 基于 Zn2+可逆脱嵌机理的阴极界面离子传输调控研究 由于 Zn2+离子的半径尺寸较小（0.74 Å），许多具有隧道型和层状结构的化合物能够将 Zn2+离子 嵌入其宿主体内或从其宿主体内脱出。Oh[27]等人首先阐述了 Zn/α-MnO2体系中 Zn2+的嵌入/脱出机理 及其导致的相应的结构变化。Zn2+嵌入 α-MnO2，如图 1A 所示，当 Zn2+插入 α-MnO2 的隧道结构中 时，隧道壁中的 Mn4+首先被还原为 Mn3+，经过进一步的歧化反应变成 Mn4+和 Mn2+，导致了 Mn 的 溶解和层状锌-水钠锰矿的形成，因此在 α-MnO2 的上层和下层之间形成了中空结构。而在充电过程 中，溶解在电解液的 Mn2+与形成的层状锌-水钠锰矿逆向反应，形成原始 α-MnO2 并恢复其隧道结构。 换言之，其电荷存储机理是基于 Zn2+离子在 α-MnO2 正极和 Zn 负极隧道之间的迁移。